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MMBT3904DW中文资料

  • 大小:239.61KB
  • 厂家:TD
  • 描述:Dated : 18/02/2013 Rev: 01 TOP DYNAMIC MMBT3904DW NPN Silicon General Purpose Double Transistor for switching and amplifier applications. Absolute Maximum Ratings (T a = 25℃) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V CBO 60 V Collector Emitter Voltage V CEO 40 V Emitter Base Voltage V EBO 6 V Collector Current I C 200 mA Power Dissipation P tot 200 mW Junction Temperature T j 150 ℃ Storage Temperature Range T stg - 55 to + 150 ℃ 1 2 3 65 4 TR2 TR1 1. Emitter 2. Base 3. Collector 4. Emitter 5. Base 6. Collector SOT-363 Plastic Package

MMBT3904DW供应商

更新时间:2023-01-27 08:59:31
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